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IXFN36N100是什么作用： 1000V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
IXFN36N100类似电子元器件：
- IXFN100N10S3
- 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
- IXFN100N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN100N25
- 250V HiPerFET power MOSFET
- IXFN106N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN120N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN130N30
- 300V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
- IXFN13N80Q
- 800V HiPerFET power MOSFET Q-class
- IXFN150N10
- 100V HiPerFET power MOSFET
IXFN36N100 PDF资料和参数原理简介
品牌 : IXYS
封装形式 : SOT-227B
引脚数量 : 4
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 134 KB
功能应用 : 1000V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
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