BS616LV2025DI是什么作用： 70/55ns 40mA 4.5-5.5V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8bit switchable

BS616LV2025DI类似电子元器件：

BS616LV2020DI
- 2.7-3.6V 70/100ns very low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16 switchable
BS616LV4011BC
- 70/100ns 20-45mA 2.4-5.5V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16bit
BS616LV4020AC
- 70/100ns 20mA 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8bit switchable
BS616LV2012DI
- 70/100ns 2.7-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16bit
BS616UV1620BI
- 70/100ns 25mA 1.8-2.3V ultra low power/voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8bit switchable
BS616LV4023BI
- 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 256K x 16 or 512K x 8bit switchable
BS616LV8013BC
- 70/100ns 20mA 2.4-3.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 512K x 16bit
BS616UV1010AC
- 150ns 15-10mA 1.8-2.6V ultra low power/voltage CMOS SRAM 64K x 16bit

BS616LV2025DI PDF资料和参数原理简介

品牌 : BSI

封装形式 : DICE

引脚数量 : 48

温度范围 : 最小 -40 °C | 最大 85 °C

文件大小 : 278 KB

功能应用 : 70/55ns 40mA 4.5-5.5V ultra low power/voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8bit switchable