W4TXE0X-0D00 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Cree 

封装形式 :  

引脚数量 : 0 

温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C

文件大小 : 306 KB

功能应用 : Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition 

W4TXE0X-0D00 PDF资料下载