1N5821S类似电子元器件:

  • 1N5817G
    • 20 V, 1.0 A schottky barrier rectifier diode
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    • 40 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode

1N5821S PDF资料和参数原理简介

品牌 : EIC 

封装形式 : D2A 

引脚数量 : 2 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 125 °C

文件大小 : 30 KB

功能应用 : "30 V, 3.0 A schottky barrier rectifier diode" 

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