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ECF10P25类似电子元器件：

  • ECF10N25
    • N-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.
  • ECF10P25
    • P-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range.

ECF10P25 PDF资料和参数原理简介

品牌 : EXICON 

封装形式 : TO3 

引脚数量 : 3 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 70 KB

功能应用 : P-channel lateral MOSFET. High power 125 W. Drain-source voltage 250V. Storage temperature range. 

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