导航：OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > Fairchild Datasheet > ISL9N306AD3ST
ISL9N306AD3ST是什么作用： N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET R Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mOhm
ISL9N306AD3ST类似电子元器件：
- ISL9K1560G3
- 15A, 600V Stealth TM Dual Diode
- ISL9K18120G3
- 18A, 1200V Stealth Dual Diode
- ISL9K30120G3
- 30A, 1200V Stealth Dual Diode
- ISL9K3060G3
- 30A, 600V Stealth Dual Diode
- ISL9K460P3
- 4A,600V Stealth Dual Diode
- ISL9K460P3
- 4A,600V Stealth Dual Diode
- ISL9K8120P3
- 8A, 1200V Stealth Dual Diode
- ISL9N303AP3
- N-Channel Logic Level UltraFETR Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mOhm
ISL9N306AD3ST PDF资料和参数原理简介
品牌 : Fairchild
封装形式 :
引脚数量 : 0
温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C
文件大小 : 279 KB
功能应用 : N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET R Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mOhm
ISL9N306AD3ST PDF资料下载