导航：OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > GSI Datasheet > GS832018T-200
GS832018T-200是什么作用： 200MHz 7.5ns 2M x 18 36Mb synchronous burst SRAM
GS832018T-200类似电子元器件：
- GS832218B-250
- 250MHz 6ns 2M x 18 36Mb DCD pipelined/flow through SRAM
- GS832418B-133I
- 133MHz 11ns 2M x 18 36Mb S/DCD sync burst SRAM
- GS8324Z18B-166I
- 166MHz 8.5ns 2M x 18 36Mb sync NBT SRAM
- GS8324Z18C-166I
- 166MHz 7ns 2M x 18 36Mb sync NBT SRAM
- GS832418B-166
- 166MHz 8.5ns 2M x 18 36Mb S/DCD sync burst SRAM
- GS8324Z18B-166
- 166MHz 8.5ns 2M x 18 36Mb sync NBT SRAM
- GS8322Z18B-166I
- 166MHz 8.5ns 2M x 18 36Mb NBT pipelined/flow through SRAM
- GS8322Z18B-200
- 200MHz 7.5ns 2M x 18 36Mb NBT pipelined/flow through SRAM
GS832018T-200 PDF资料和参数原理简介
品牌 : GSI
封装形式 : TQFP
引脚数量 : 100
温度范围 : 最小 0 °C | 最大 70 °C
文件大小 : 880 KB
功能应用 : 200MHz 7.5ns 2M x 18 36Mb synchronous burst SRAM
GS832018T-200 PDF资料下载