IRC530类似电子元器件:

  • IRC530
    • HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 14A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V.
  • IRC540
    • HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm

IRC530 PDF资料和参数原理简介

品牌 : IR 

封装形式 : TO-220 

引脚数量 : 5 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C

文件大小 : 248 KB

功能应用 : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 14A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. 

IRC530 PDF资料下载