IRF5803D2类似电子元器件:

  • IRF510
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
  • IRF510S
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
  • IRF520N
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
  • IRF520NL
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
  • IRF520NS
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A
  • IRF520VL
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
  • IRF520VS
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.165 Ohm, ID = 9.6A
  • IRF5210
    • HEXFET power MOSFET. VDSS = -100V, RDS(on) = 0.06 Ohm, ID = -40A

IRF5803D2 PDF资料和参数原理简介

品牌 : IR 

封装形式 : SO 

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 139 KB

功能应用 : FETKY MOSFET & schottky diode. VDSS = -40V, RDS(on) = 112 mOhm, schottky Vf = 0.51V 

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