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IRFD110是什么作用： HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A
IRFD110类似电子元器件：
- IRFD014
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 1.7A
- IRFD024
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 60V, RDS(on) = 0.10 Ohm, ID = 2.5A
- IRFD110
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A
- IRFD120
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ohm, ID = 1.3 A
- IRFD210
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ohm, ID = 0.60 A
- IRFD214
- HEXFET power MOSFET
- IRFD220
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.80 Ohm, ID = 0.80 A
- IRFD224
- HEXFET power MOSFET
IRFD110 PDF资料和参数原理简介
品牌 : IR
封装形式 : HD-1
引脚数量 : 4
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C
文件大小 : 191 KB
功能应用 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 1.0 A
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