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IRG4BC10UD是什么作用: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.150V @ VGE = 15V, IC = 5.0A, tf(typ) = 140ns.
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IRG4BC10UD是什么作用: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.150V @ VGE = 15V, IC = 5.0A, tf(typ) = 140ns.
品牌 : IR
封装形式 :
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 202 KB
功能应用 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.150V @ VGE = 15V, IC = 5.0A, tf(typ) = 140ns.