PVDZ172N类似电子元器件:

  • PVDZ172N
    • HEXFET power mosfet photovoltaic relay
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PVDZ172N PDF资料和参数原理简介

品牌 : IR 

封装形式 : DIP 

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -40 °C | 最大 85 °C

文件大小 : 150 KB

功能应用 : HEXFET power mosfet photovoltaic relay 

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