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IXFN100N10S3是什么作用： 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
IXFN100N10S3类似电子元器件：
- IXFN100N10S3
- 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
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- 200V HiPerFET power MOSFET
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- 100V HiPerFET power MOSFET
IXFN100N10S3 PDF资料和参数原理简介
品牌 : IXYS
封装形式 : SOT-227B
引脚数量 : 4
温度范围 : 最小 -40 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 108 KB
功能应用 : 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
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