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IXTH12N90是什么作用： 900V MegaMOS FET
IXTH12N90类似电子元器件：
- IXTH10N100
- 1000V HiPerFET power MOSFET
- IXTH10P50
- 500V standard power MOSFET
- IXTH10P60
- 600V standard power MOSFET
- IXTH11N80
- 800V HiPerFET power MOSFET
- IXTH11P50
- 500V standard power MOSFET
- IXTH12N100
- 1000V HiPerFET power MOSFET
- IXTH12N90
- 900V MegaMOS FET
- IXTH13N110
- 1100V MegaMOS FET
IXTH12N90 PDF资料和参数原理简介
品牌 : IXYS
封装形式 : TO-247
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 112 KB
功能应用 : 900V MegaMOS FET
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