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IXTN21N100是什么作用: 600V high voltage megaMOS FET
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IXTN21N100是什么作用: 600V high voltage megaMOS FET
品牌 : IXYS
封装形式 : SOT-227B
引脚数量 : 4
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 150 KB
功能应用 : 600V high voltage megaMOS FET