导航：OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > Infineon Datasheet > HYB514100BJ-60
HYB514100BJ-60是什么作用： 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-60类似电子元器件：
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB514100BJ-60 PDF资料和参数原理简介
品牌 : Infineon
封装形式 : P-SOJ-26/20-2 300 mi
引脚数量 : 26
温度范围 : 最小 0 °C | 最大 70 °C
文件大小 : 118 KB
功能应用 : 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-60 PDF资料下载