MTP10N10E类似电子元器件:

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    • HDTMOS E-FET high density power FET
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MTP10N10E PDF资料和参数原理简介

品牌 : Motorola 

封装形式 :  

引脚数量 : 4 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 260 KB

功能应用 : TMOS IV power field effect transistor 

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