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NE321000是什么作用: A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
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NE321000是什么作用: A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification
品牌 : NEC
封装形式 : Chip
引脚数量 : 0
温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C
文件大小 : 52 KB
功能应用 : A GaAs HJ-FET chip for ultra low-noise high-gain amplification