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NE4210S01-T1B是什么作用： GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
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NE4210S01-T1B PDF资料和参数原理简介
品牌 : NEC
封装形式 : 4-pin u-x type mold
引脚数量 : 0
温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C
文件大小 : 71 KB
功能应用 : GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
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