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PHB112N06T是什么作用： 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHB112N06T类似电子元器件：
- PHB100N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB10N40
- PowerMOS transistor.
- PHB10N40E
- 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHB112N06T
- 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHB11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHB11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
PHB112N06T PDF资料和参数原理简介
品牌 : Philips
封装形式 : SOT
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C
文件大小 : 288 KB
功能应用 : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
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