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PHB6N60E是什么作用： 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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PHB6N60E PDF资料和参数原理简介
品牌 : Philips
封装形式 : SOT
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 81 KB
功能应用 : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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