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PHD6N10E是什么作用： 100 V, power MOS transistor
PHD6N10E类似电子元器件：
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- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
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- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD69N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD69N03LT
- 25 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD6N10E
- 100 V, power MOS transistor
- PHD6N10E
- PowerMOS transistor
PHD6N10E PDF资料和参数原理简介
品牌 : Philips
封装形式 : SOT
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C
文件大小 : 62 KB
功能应用 : 100 V, power MOS transistor
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