PHKD3NQ10T类似电子元器件:

  • PHKD3NQ10T
    • 100 V, dual N-channel trenchMOS transistor

PHKD3NQ10T PDF资料和参数原理简介

品牌 : Philips 

封装形式 : SO 

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 86 KB

功能应用 : 100 V, dual N-channel trenchMOS transistor 

PHKD3NQ10T PDF资料下载