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PHX8ND50E类似电子元器件：

  • PHX8N50E
    • 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
  • PHX8N50E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX8N50E
    • PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
  • PHX8ND50E
    • PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated.

PHX8ND50E PDF资料和参数原理简介

品牌 : Philips 

封装形式 : SOT186A 

引脚数量 : 3 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 82 KB

功能应用 : PowerMOS transistor. FREDFET, avalanche energy rated. 

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