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F1058是什么作用： 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1058类似电子元器件：
- F1058
- 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1058 PDF资料和参数原理简介
品牌 : Polyfet RF
封装形式 :
引脚数量 : 4
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 41 KB
功能应用 : 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1058 PDF资料下载