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F2001类似电子元器件：

  • F2001
    • 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2002
    • 5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2004
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2001 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 :  

引脚数量 : 2 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 40 KB

功能应用 : 2.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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