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F2012类似电子元器件：

  • F2012
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2013
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2012 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 :  

引脚数量 : 2 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 40 KB

功能应用 : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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