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F2248类似电子元器件：

  • F2246
    • 2 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2247
    • 4 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2248
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2248 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 :  

引脚数量 : 6 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 38 KB

功能应用 : 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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