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F5001是什么作用: 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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F5001是什么作用: 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
品牌 : Polyfet RF
封装形式 :
引脚数量 : 2
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 40 KB
功能应用 : 0.5 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor