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L125是什么作用: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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L125是什么作用: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
品牌 : Polyfet RF
封装形式 : SO-8
引脚数量 : 8
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 41 KB
功能应用 : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor