L225类似电子元器件:

  • L225
    • 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L225 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 : SO-8 

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 41 KB

功能应用 : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

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