导航:OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > Polyfet RF Datasheet > L225
L225是什么作用: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
导航:OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > Polyfet RF Datasheet > L225
L225是什么作用: 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
品牌 : Polyfet RF
封装形式 : SO-8
引脚数量 : 8
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 41 KB
功能应用 : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor