L8801P类似电子元器件:

  • L88016
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • L8801P
    • 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

L8801P PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 : SO-8 

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 43 KB

功能应用 : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

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