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LB401是什么作用： 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401类似电子元器件：
- LB401
- 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 PDF资料和参数原理简介
品牌 : Polyfet RF
封装形式 :
引脚数量 : 4
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 41 KB
功能应用 : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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