LP801类似电子元器件:

  • LP802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP801
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP801 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 :  

引脚数量 : 2 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 38 KB

功能应用 : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP801 PDF资料下载