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P122是什么作用： "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
P122类似电子元器件：
- P122
- "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
P122 PDF资料和参数原理简介
品牌 : Polyfet RF
封装形式 : SO
引脚数量 : 6
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 47 KB
功能应用 : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
P122 PDF资料下载