S8201类似电子元器件:

  • S8201
    • 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • S8202
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

S8201 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 :  

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 40 KB

功能应用 : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

S8201 PDF资料下载