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SP201是什么作用： "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
SP201 PDF资料和参数原理简介
品牌 : Polyfet RF
封装形式 :
引脚数量 : 2
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 37 KB
功能应用 : "4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"
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