IRF530F1类似电子元器件:

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    • N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
  • IRF530FP
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IRF530F1 PDF资料和参数原理简介

品牌 : ST Microelectronics 

封装形式 : ISOWATT220 

引脚数量 : 3 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 205 KB

功能应用 : N-channel MOSFET, 100V, 9A 

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