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BULD25DR类似电子元器件：

  • BULD125KC
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
  • BULD25D
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
  • BULD25DR
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
  • BULD25SL
    • 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode

BULD25DR PDF资料和参数原理简介

品牌 : Transys 

封装形式 :  

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 741 KB

功能应用 : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode 

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