BC261类似电子元器件:

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    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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    • 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor

BC261 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Micro Electronics 

封装形式 : TO-18 

引脚数量 : 3 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 200 °C

文件大小 : 103 KB

功能应用 : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor 

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