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BC263是什么作用: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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BC263是什么作用: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
品牌 : Micro Electronics
封装形式 : TO-18
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 200 °C
文件大小 : 103 KB
功能应用 : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor