PHB73N06T类似电子元器件:

  • PHB73N06T
    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB7N60E
    • 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB73N06T PDF资料和参数原理简介

品牌 : Philips 

封装形式 : SOT 

引脚数量 : 3 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C

文件大小 : 290 KB

功能应用 : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

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