导航：OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > Philips Datasheet > PHB7N60E
PHB7N60E是什么作用： 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E类似电子元器件：
- PHB73N06T
- 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB78NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB78NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB7N60E
- 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E PDF资料和参数原理简介
品牌 : Philips
封装形式 : SOT
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 100 KB
功能应用 : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHB7N60E PDF资料下载