导航：OK电子元器件资料网 > 电子元器件器品牌 > Philips Datasheet > PHD10N10E
PHD10N10E是什么作用： PowerMOS transistor
PHD10N10E类似电子元器件：
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD10N10E
- PowerMOS transistor
- PHD11N03LT
- 30 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N03LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD11N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD11N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD11N06LT
- N-channel TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD12N10E
- PowerMOS transistor
PHD10N10E PDF资料和参数原理简介
品牌 : Philips
封装形式 : SOT428
引脚数量 : 0
温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C
文件大小 : 83 KB
功能应用 : PowerMOS transistor
PHD10N10E PDF资料下载