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PHD11N06LT是什么作用: TrenchMOS transistor. Logic level FET.
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PHD11N06LT是什么作用: TrenchMOS transistor. Logic level FET.
品牌 : Philips
封装形式 : SOT428
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 175 °C
文件大小 : 83 KB
功能应用 : TrenchMOS transistor. Logic level FET.