F1066类似电子元器件:

  • F1060
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1063
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1065
    • 120 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1066
    • 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1069
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1066 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Polyfet RF 

封装形式 :  

引脚数量 : 8 

温度范围 : 最小 -65 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 42 KB

功能应用 : 100 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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