BD241类似电子元器件:

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    • 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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  • BD242B
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BD241 PDF资料和参数原理简介

品牌 : Micro Electronics 

封装形式 : TO-220B 

引脚数量 : 3 

温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C

文件大小 : 106 KB

功能应用 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor 

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