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BD241B是什么作用： 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD241B类似电子元器件：
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- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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- BD242
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242A
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242B
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD241B PDF资料和参数原理简介
品牌 : Micro Electronics
封装形式 : TO-220B
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 106 KB
功能应用 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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