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BD242A是什么作用: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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BD242A是什么作用: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
品牌 : Micro Electronics
封装形式 : TO-220B
引脚数量 : 3
温度范围 : 最小 -55 °C | 最大 150 °C
文件大小 : 107 KB
功能应用 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor